4月20日音讯 依据外媒的报导，三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存，第一款产品将至少到达160层。
外媒表明，三星的160层的V-NAND产品或许会在长江贮存128层产品很多上市时推出，时刻大约是2020年末。
IT之家曾报导，4月13日，长江存储科技有限责任公司宣告其128层QLC 3D NAND 闪存（类型： X2-6070）研制成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上经过验证。长江存储表明，X2-6070具有业界已知类型产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量，具有1.6Gb/s高速读写功能和1.33Tb高容量。
