2019年Intel逾越三星，夺回了全球半导体商场的一哥位置，曩昔27年以来Intel在这个榜单上操纵了25年之久。再下一步，Intel还要在半导体技能上追上来，其7nm工艺晶体管密度就挨近台积电3nm工艺了，5nm节点反超几乎是铁板钉钉了。
在半导体工艺节点的命名上，台积电、三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了，没有严厉依照ITRS协会的界说来走了，将节点命名变成了儿戏，Intel在这点上却是很厚道，所以吃亏不少，实际上他们的10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2，比三星、台积电的7nm还要高一点。
在10nm走上正轨之后，Intel宣告他们的半导体工艺开展将回到2年一个周期的道路上来，2021年就会量产7nm工艺，首发高性能的Xe架构GPU，2022年会扩展到更多的CPU等产品中。
台积电上星期正式发布了3nm工艺的细节
，该工艺晶体管密度到达了2.5亿/mm2，估计在2021年进入危险试产阶段，2022年下半年量产。
那Intel 7nm及以下工艺的水平怎么呢？现在还没发布官方细节，不过Intel从22nm工艺到14nm是2.4x缩放，14nm到10nm是2.7x缩放，都超越了摩尔定律的2x工艺缩放水平。
Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，那至少是2x到2.4x缩放，意味着7nm工艺的晶体管密度将到达2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。
这样看来，如果是2.4亿/mm2的水平，那Intel的7nm工艺就能到达台积电3nm工艺的水平，保存一点2亿/mm2的话，那也十分挨近了。
别忘了，7nm之后Intel还会进入5nm节点，时刻点会在2023年，依照Intel的水平，至少也是2x缩放，那晶体管密度至少会到达4亿/mm2，远远超越台积电的3nm工艺水平，台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。
现在的核算仍是理论性的，可是只需Intel的工艺道路重回正轨，先进工艺上追回来并不让人意外，台积电、三星并不能小觑半导体一哥的技能实力。
